12 月 29 日消息，根据台媒 UNIKO's Hardware 的发现，三星半导体官网的 DRAM / DDR 页面现已列出多款处于“样品”生产状态的 DDR5 内存颗粒新品。

这其中 78 FBGA 封装的 PDRQL8KCBF12-00 和 102 FBGA 封装的 PDRQLAKCDF12-00 均在 1.1V 的 JEDEC 工作电压下支持 7200Mbps 的速率，相较此前 6400Mbps 的速率进一步提升。

注意到，英特尔 Panther Lake 处理器的 16c (4P + 8E + 4LPE) 4Xe 配置确认支持 7200MT/s 的 DDR5 SO-DIMM，Arrow Lake S Refresh 预计也将支持 7200MT/s DDR5 CUDIMM，而 SK 海力士的 7200Mbps (7200MT/s) 级产品也已可在市场见到。

同样值得一提的是，至少从 DDR2 时期开始，三星的 DDR 颗粒料号命名均以"K4" 为开头（分别代表三星存储器业务和 DRAM），而四款处于样品阶段的芯片则并未遵循这一传统格式。

广告声明：文内含有的对外跳转链接（包括不限于超链接、二维码、口令等形式），用于传递更多信息，节省甄选时间，结果仅供参考，所有文章均包含本声明。